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MRAM

Noviembre 17, 2021

La MRAM (RAM magnetorresistiva o magnética) (en inglés: magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no volátil que ha estado en desarrollo desde los años 90. El desarrollo continuado de la tecnología existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la generalización de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o después se convertirá en la tecnología dominante para todos los tipos de memorias.[1]​

Descripción

A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga eléctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de almacenamiento magnético. Los elementos están formados por dos discos ferromagnéticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magnético, separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sitúa en un imán permanente con una polaridad dada; el otro variará para adecuarse al de un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.

La lectura se realiza midiendo la resistencia eléctrica de la celda. En general, una celda se selecciona con base en la alimentación de un transistor asociado que conduce la corriente desde una línea de alimentación a través de la celda a tierra. El efecto túnel provoca cambios en la resistencia de la celda según la orientación de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada, puede calcularse la resistencia y a partir de esta la polaridad del disco escribible. En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es la misma (el estado de menor resistencia).

La escritura puede realizarse de varias maneras. La más sencilla es que cada celda esté situada entre dos líneas de escritura que formen un ángulo adecuado entre sí por encima y debajo de la celda. Con la corriente se induce un campo magnético en la unión, y este campo influye en el disco escribible. Este patrón de operación es similar al de la memoria de núcleo de ferrita de los años 60. Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo magnético lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo consumo. Además, conforme el tamaño se escala, los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes. Este problema parece imponer un tamaño de celda relativamente grande. Aunque se intentó solucionar con dominios circulares y la magnetorresistencia colosal, no parece que esta solución se esté desarrollando últimamente.

Otro enfoque realiza una escritura en varias fases por medio de una celda multinivel. La celda contiene ahora un material antiferromagnético en el que la orientación magnética se alterna en la superficie. Los niveles fijos y libres están formados ahora por pilas de varios niveles aisladas por un nivel de acoplamiento. La estructura resultante sólo tiene dos estados estables, que pueden cambiarse (toggling) ajustando el retraso relativo en la señal de escritura propagada por cada una de las dos líneas, provocando una rotación del campo. Cualquier voltaje que no sea el completo aumenta la resistencia de forma que las celdas que compartan una de las líneas de escritura no se ven afectadas. Esto permite celdas más pequeñas.

Una técnica más reciente se basa en la transferencia de torsión de spin (spin torque transfer o spin transfer switching). Utiliza electrones polarizados (con su momento de spin alineado) para realizar la torsión sobre los dominios magnéticos. En concreto, si los electrones que fluyen a una capa han de cargar su spin, se genera una fuerza de torsión que se transfiere a la capa próxima. De esta forma se reduce la corriente necesaria para realizar la escritura a aproximadamente el mismo nivel de la lectura.[2]​ Se sospecha que la celda MRAM clásica sea difícil de producir en gran densidad por la cantidad de corriente necesaria para la escritura, algo que este método evita. El problema es que, por el momento, el transistor de control debe conmutar más corriente y debe mantener la coherencia de spin. En todo caso, la corriente de escritura es mucho menor que en las otras variantes.

 
Esquema simplificado de una celda MRAM.

Comparación con otros sistemas

Densidad

El factor principal que decide el coste de un sistema es la densidad de los componentes que lo forman. Sistemas con menos componentes y más sencillos (pequeños) conllevan densidades mayores y una mayor producción de chips en cada oblea de silicio, lo que a su vez mejora la tasa de chips sin errores.

La memoria DRAM utiliza condensadores como elementos de memoria, junto con cables que transportan la corriente y un transistor de control (esto compone una celda 1T1C). Los condensadores son esencialmente dos placas metálicas separadas por un material aislante. DRAM es la RAM que en la actualidad disfruta de una mayor densidad y es, por tanto, la más barata, por lo que constituye la mayor parte de la RAM que se utiliza en los ordenadores.

La memoria MRAM es bastante parecida en sus aspectos físicos aunque no suele necesitar de un transistor para la operación de escritura. Sin embargo, tiene el problema de la interferencia en escritura (half select) que limita el tamaño de las celdas a 180 nm o más. Las variantes que utilizan toggling pueden escalar hasta cerca de 90 nm,[3]​ el mismo tamaño que las memorias DRAM actuales. No obstante, para que sea rentable que entre en producción, debería ser capaz de bajar a los 65 nm de los dispositivos de memoria más avanzados, lo que seguramente deberá pasar a utilizar técnicas de torsión de spin (STT).

Consumo energético

Los condensadores que forman la DRAM pierden su carga con el tiempo si esta no se restablece periódicamente (aproximadamente 1000 veces por segundo, leyendo y reescribiendo sus valores). Por ello necesitan una alimentación continua y los datos se pierden si el suministro de energía se corta. El ciclo de refresco se reduce con el tamaño de las DRAM's, y se incrementa el consumo.

Por el contrario, las memorias MRAM no necesitan ningún tipo de refresco, lo que las hace no volátiles y además las libra del consumo continuo de energía. El proceso de lectura es comparablemente más costoso, aunque en la práctica la diferencia parece ser muy pequeña. El proceso de escritura sí necesita más energía para sobreponerse al campo ya existente en la junta (entre 3-8 veces la energía necesaria en lectura).[4]​[5]​ La cantidad neta de energía consumida dependerá de la naturaleza de los accesos – más a más escrituras –, aunque en general los defensores de este enfoque prevén consumos mucho menores (de hasta el 1% del consumo de la DRAM). Los dispositivos basados en SST anulan la diferencia entre lectura y escritura, acentuando aún más esta diferencia.

Es interesante comparar la MRAM con otro dispositivo común, la memoria Flash RAM. Esta es también no volátil, lo que la convierte en un sustituto común de los discos duros en dispositivos pequeños como reproductores de música y cámaras digitales. En lectura los requerimientos energéticos de ambas memorias son muy semejantes. En escritura, en cambio, Flash se reescribe con pulsos de voltaje elevados (cerca de 10 V) que utilizan acumuladores relativamente lentos y con alto consumo. La degradación que producen limita además el número de ciclos de escritura de las celdas.

A diferencia de Flash, MRAM necesita sólo un poco más de energía para realizar la escritura y ningún cambio en el voltaje, lo que lleva a un consumo menor con operaciones más rápidas y sin efecto sobre la vida del dispositivo.

Velocidad

La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta drenar (en lectura) o almacenar (en escritura) la corriente en las celdas. En MRAM, se basa en la medición de voltajes en lugar de corrientes, por lo que el tiempo de asentamiento (settling) es mejor. Se ha demostrado que los dispositivos MRAM tienen accesos en el orden de 2 ns, algo mejores que los de las DRAM más avanzadas, que utilizan procesos de fabricación mucho más recientes.[6]​ La diferencia con Flash es mucho más acusada, con rendimientos similares en lectura, pero miles de veces mejor en escritura.

La única tecnología que puede competir con MRAM en términos de velocidad es la memoria SRAM, formada por conjuntos de transistores que forman flip-flops para almacenar uno de dos estados mientras se suministra potencia. Los transistores tienen necesidades de energía muy bajas, por lo que el cambio de estado es muy rápido. No obstante, una celda SRAM está formada por varios transistores, por lo que su densidad es mucho menor que la de DRAM. Esto a su vez la hace más cara y su uso está reservado a cantidades pequeñas de memoria de alta velocidad, típicamente la memoria cache en las CPU's actuales.

La memoria MRAM no es tan rápida como la SRAM, pero sí se acerca lo suficiente como para resultar competitiva incluso en estos usos para ofrecer capacidades mucho mayores de cache, aunque algo más lenta. Se desconocen actualmente las consecuencias que este compromiso podría tener.

Visión general

MRAM ofrece velocidades parecidas a las de SRAM con una densidad comparable a la de DRAM pero mucho menos consumo que esta (y mayor velocidad). Además, frente a la memoria Flash, no presenta degradación en el tiempo. Esta combinación hace que algunos la propongan como “memoria universal”, capaz de reemplazar a estas tres así como a la memoria EEPROM. También explica la intensa actividad de investigación que rodea su desarrollo.

Sin embargo, las tendencias del mercado la han mantenido lejos de alcanzar una utilización generalizada. El mercado de memoria Flash ejerce una gran presión para que los fabricantes desarrollen nuevos procesos de integración, logrando chips de 1 Gibit en 65 nm y hasta 16 Gibit en el caso de Samsung en 50 nm.[7]​ La sobreproducción de DRAM ofrece un retorno de la inversión mucho menor, por lo que la mayor parte de la memoria DDR2 se fabrica utilizando procesos antiguos de 90 nm (una generación anterior a las actuales).

MRAM, por su parte, se encuentra todavía en estado de desarrollo en gran parte y su producción se realiza en factorías secundarias. El único producto disponible a gran escala es el chip de 4 Mibit de Freescale Semiconductor, que utiliza procesos de varias generaciones de antigüedad de 180 nm. La gran demanda de memoria Flash sigue dirigiendo la oferta de forma que los fabricantes no se arriesguen a dedicar sus fábricas principales a la producción de MRAM. En todo caso, e incluso utilizando el mismo proceso de fabricación, las celdas MRAM siguen estando muy por encima de los tamaños conseguidos en Flash.

Historia

  • 1955 – Utilización de memoria de núcleo de ferrita que utilizan el mismo principio operativo para la escritura.
  • 1989 – Descubrimientos sobre la magnetorresistencia colosal por parte de investigadores de IBM en estructuras de película delgada.
  • 2000 - IBM e Infineon crean un programa conjunto de desarrollo.
  • 2002 - NVE realiza un intercambio tecnológico con Cypress Semiconductor.
  • 2003 – Se presenta un chip de 128 KiB sobre proceso litográfico de 180 nm.

2004

  • Junio - Infineon desvela un prototipo de 16 Mibit sobre el mismo proceso tecnológico.
  • Septiembre – Freescale integra la MRAM en sus líneas de productos y ha comenzado a probar su rendimiento.
  • Octubre – Desarrollo de chips de 1 Mibit en Taiwán (TSMC). Micron descarta la tecnología MRAM.
  • Diciembre - TSMC, NEC, y Toshiba definen nuevos prototipos. Renesas desarrolla MRAM de alta velocidad y fiabilidad.

2005

  • Enero – Cypress hace pruebas sobre MRAM (usando tecnología de NVE).
  • Marzo - Cypress planea vender su división de MRAM.
  • Junio - Honeywell publica la hoja de características de un chip de 1 Mibit en proceso litográfico de 150 nm.
  • Agosto – Establecimiento de récord de velocidad de celdas a 2 GHz.
  • Noviembre - Renesas y Grandis colaboran para desarrollar MRAM de 65 nm basada en STT. NVE recibe una subvención SBIR del gobierno estadounidense para estudiar aplicaciones criptográficas.[8]​
  • Diciembre - Sony anuncia el primer prototipo STT de laboratorio que canaliza corriente a través de la capa magnetorresistente para la escritura; este método utiliza menos energía y es más escalable, pudiendo llevar a densidades mayores a las posibles en DRAM. Freescale presenta chips basados en óxido de magnesio en vez de óxido de aluminio que logran aislantes de túnel más finos y una resistencia de bit más baja en la escritura (necesita menos corriente).

Estado actual

2006

  • Febrero – Toshiba y NEC anuncian un chip de 16 Mibit con un diseño nuevo de potencia (power-forking) que logra anchos de banda de 200 Mbit/s con tiempos de ciclo de 34 ns, el mejor rendimiento MRAM hasta la fecha. También es el más pequeño de su clase (78,5 milímetros cuadrados) y alimentación a 1,8 V.[9]​
  • Julio – Freescale comercializa un chip de 4 Mibit a un precio aproximado de 25 dólares.[10]​

2007

  • Agosto – IBM y TDK buscan reducir costes y aumentar el rendimiento de las MRAM con miras al lanzamiento de un nuevo producto al mercado.[11]​

2018

  • Intel anuncia la fabricación en masa de memoria MRAM.[12]​[13]​

Aplicaciones

Entre los usos que se han propuesto para este tipo de memoria se incluyen:

Véase también

Referencias

  1. Johan Åkerman, "Toward a Universal Memory", Science, Vol. 308. no. 5721 (22 April 2005), pp. 508 – 510, doi 10.1126/science.1110549
  2. Renesas, Grandis to Collaborate on Development of 65 nm MRAM Employing Spin Torque Transfer
  5. http://www.research.ibm.com/people/l/lefurgy/Publications/mram-tr2002-47.pdf
  6. PowerPoint Presentation
  7. SAMSUNG United States
  8. SBIR Phase I: Zero-Remanence Tamper-Responsive Cryptokey Memory
  9. Toshiba and NEC Develop World's Fastest, Highest Density MRAM | NEC
  10. Welcome to Freescale Semiconductor - News Release el 13 de octubre de 2007 en Wayback Machine.
  11. IBM Press room - 2007-08-19 IBM and TDK Launch Joint Research & Development Project for Advanced MRAM - United States
  12. «La memoria MRAM de Intel esta listo para la producción en masa». Profesional Review. 20 de febrero de 2019. Consultado el 24 de febrero de 2019. 
  13. «Intel estaría produciendo memorias MRAM en masa para reemplazar a los SSD y la RAM actuales». HardwarEsfera. 21 de febrero de 2019. Consultado el 24 de febrero de 2019. 

Enlaces externos

  • Información y recursos sobre MRAM
  • IBM research - MRAM (Richard Butner)
  • Artículo de la revista Science de abril de 2005
  • Artículo de la revista Science de septiembre de 2005
  • Nota de prensa de NEC de febrero de 2006
  • Artículo en BBC News de julio de 2006
  • Freescale MRAM - estudio de agosto de 2006
  • - Artículo y entrevista con Freescale sobre la tecnología de la compañía
  •   Datos: Q1061546
  •   Multimedia: Magnetoresistive RAM

Noviembre 17, 2021
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La MRAM RAM magnetorresistiva o magnetica en ingles magnetoresistive random access memory es un tipo de memoria no volatil que ha estado en desarrollo desde los anos 90 El desarrollo continuado de la tecnologia existente principalmente Flash y DRAM han evitado la generalizacion de su uso aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan evidentes que antes o despues se convertira en la tecnologia dominante para todos los tipos de memorias 1 Indice 1 Descripcion 2 Comparacion con otros sistemas 2 1 Densidad 2 2 Consumo energetico 2 3 Velocidad 2 4 Vision general 3 Historia 3 1 Estado actual 4 Aplicaciones 5 Vease tambien 6 Referencias 7 Enlaces externosDescripcion EditarA diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga electrica o flujos de corriente sino por medio de elementos de almacenamiento magnetico Los elementos estan formados por dos discos ferromagneticos cada uno de los cuales puede mantener un campo magnetico separados por una fina capa de aislante Uno de los dos discos se situa en un iman permanente con una polaridad dada el otro variara para adecuarse al de un campo externo Una malla de estas celdas forma un chip de memoria La lectura se realiza midiendo la resistencia electrica de la celda En general una celda se selecciona con base en la alimentacion de un transistor asociado que conduce la corriente desde una linea de alimentacion a traves de la celda a tierra El efecto tunel provoca cambios en la resistencia de la celda segun la orientacion de los campos de los dos discos Midiendo la corriente generada puede calcularse la resistencia y a partir de esta la polaridad del disco escribible En general suele considerarse 0 si la polaridad de ambos discos es la misma el estado de menor resistencia La escritura puede realizarse de varias maneras La mas sencilla es que cada celda este situada entre dos lineas de escritura que formen un angulo adecuado entre si por encima y debajo de la celda Con la corriente se induce un campo magnetico en la union y este campo influye en el disco escribible Este patron de operacion es similar al de la memoria de nucleo de ferrita de los anos 60 Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo magnetico lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo consumo Ademas conforme el tamano se escala los campos generados pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes Este problema parece imponer un tamano de celda relativamente grande Aunque se intento solucionar con dominios circulares y la magnetorresistencia colosal no parece que esta solucion se este desarrollando ultimamente Otro enfoque realiza una escritura en varias fases por medio de una celda multinivel La celda contiene ahora un material antiferromagnetico en el que la orientacion magnetica se alterna en la superficie Los niveles fijos y libres estan formados ahora por pilas de varios niveles aisladas por un nivel de acoplamiento La estructura resultante solo tiene dos estados estables que pueden cambiarse toggling ajustando el retraso relativo en la senal de escritura propagada por cada una de las dos lineas provocando una rotacion del campo Cualquier voltaje que no sea el completo aumenta la resistencia de forma que las celdas que compartan una de las lineas de escritura no se ven afectadas Esto permite celdas mas pequenas Una tecnica mas reciente se basa en la transferencia de torsion de spin spin torque transfer o spin transfer switching Utiliza electrones polarizados con su momento de spin alineado para realizar la torsion sobre los dominios magneticos En concreto si los electrones que fluyen a una capa han de cargar su spin se genera una fuerza de torsion que se transfiere a la capa proxima De esta forma se reduce la corriente necesaria para realizar la escritura a aproximadamente el mismo nivel de la lectura 2 Se sospecha que la celda MRAM clasica sea dificil de producir en gran densidad por la cantidad de corriente necesaria para la escritura algo que este metodo evita El problema es que por el momento el transistor de control debe conmutar mas corriente y debe mantener la coherencia de spin En todo caso la corriente de escritura es mucho menor que en las otras variantes Esquema simplificado de una celda MRAM Comparacion con otros sistemas EditarDensidad Editar El factor principal que decide el coste de un sistema es la densidad de los componentes que lo forman Sistemas con menos componentes y mas sencillos pequenos conllevan densidades mayores y una mayor produccion de chips en cada oblea de silicio lo que a su vez mejora la tasa de chips sin errores La memoria DRAM utiliza condensadores como elementos de memoria junto con cables que transportan la corriente y un transistor de control esto compone una celda 1T1C Los condensadores son esencialmente dos placas metalicas separadas por un material aislante DRAM es la RAM que en la actualidad disfruta de una mayor densidad y es por tanto la mas barata por lo que constituye la mayor parte de la RAM que se utiliza en los ordenadores La memoria MRAM es bastante parecida en sus aspectos fisicos aunque no suele necesitar de un transistor para la operacion de escritura Sin embargo tiene el problema de la interferencia en escritura half select que limita el tamano de las celdas a 180 nm o mas Las variantes que utilizan toggling pueden escalar hasta cerca de 90 nm 3 el mismo tamano que las memorias DRAM actuales No obstante para que sea rentable que entre en produccion deberia ser capaz de bajar a los 65 nm de los dispositivos de memoria mas avanzados lo que seguramente debera pasar a utilizar tecnicas de torsion de spin STT Consumo energetico Editar Los condensadores que forman la DRAM pierden su carga con el tiempo si esta no se restablece periodicamente aproximadamente 1000 veces por segundo leyendo y reescribiendo sus valores Por ello necesitan una alimentacion continua y los datos se pierden si el suministro de energia se corta El ciclo de refresco se reduce con el tamano de las DRAM s y se incrementa el consumo Por el contrario las memorias MRAM no necesitan ningun tipo de refresco lo que las hace no volatiles y ademas las libra del consumo continuo de energia El proceso de lectura es comparablemente mas costoso aunque en la practica la diferencia parece ser muy pequena El proceso de escritura si necesita mas energia para sobreponerse al campo ya existente en la junta entre 3 8 veces la energia necesaria en lectura 4 5 La cantidad neta de energia consumida dependera de la naturaleza de los accesos mas a mas escrituras aunque en general los defensores de este enfoque preven consumos mucho menores de hasta el 1 del consumo de la DRAM Los dispositivos basados en SST anulan la diferencia entre lectura y escritura acentuando aun mas esta diferencia Es interesante comparar la MRAM con otro dispositivo comun la memoria Flash RAM Esta es tambien no volatil lo que la convierte en un sustituto comun de los discos duros en dispositivos pequenos como reproductores de musica y camaras digitales En lectura los requerimientos energeticos de ambas memorias son muy semejantes En escritura en cambio Flash se reescribe con pulsos de voltaje elevados cerca de 10 V que utilizan acumuladores relativamente lentos y con alto consumo La degradacion que producen limita ademas el numero de ciclos de escritura de las celdas A diferencia de Flash MRAM necesita solo un poco mas de energia para realizar la escritura y ningun cambio en el voltaje lo que lleva a un consumo menor con operaciones mas rapidas y sin efecto sobre la vida del dispositivo Velocidad Editar La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta drenar en lectura o almacenar en escritura la corriente en las celdas En MRAM se basa en la medicion de voltajes en lugar de corrientes por lo que el tiempo de asentamiento settling es mejor Se ha demostrado que los dispositivos MRAM tienen accesos en el orden de 2 ns algo mejores que los de las DRAM mas avanzadas que utilizan procesos de fabricacion mucho mas recientes 6 La diferencia con Flash es mucho mas acusada con rendimientos similares en lectura pero miles de veces mejor en escritura La unica tecnologia que puede competir con MRAM en terminos de velocidad es la memoria SRAM formada por conjuntos de transistores que forman flip flops para almacenar uno de dos estados mientras se suministra potencia Los transistores tienen necesidades de energia muy bajas por lo que el cambio de estado es muy rapido No obstante una celda SRAM esta formada por varios transistores por lo que su densidad es mucho menor que la de DRAM Esto a su vez la hace mas cara y su uso esta reservado a cantidades pequenas de memoria de alta velocidad tipicamente la memoria cache en las CPU s actuales La memoria MRAM no es tan rapida como la SRAM pero si se acerca lo suficiente como para resultar competitiva incluso en estos usos para ofrecer capacidades mucho mayores de cache aunque algo mas lenta Se desconocen actualmente las consecuencias que este compromiso podria tener Vision general Editar MRAM ofrece velocidades parecidas a las de SRAM con una densidad comparable a la de DRAM pero mucho menos consumo que esta y mayor velocidad Ademas frente a la memoria Flash no presenta degradacion en el tiempo Esta combinacion hace que algunos la propongan como memoria universal capaz de reemplazar a estas tres asi como a la memoria EEPROM Tambien explica la intensa actividad de investigacion que rodea su desarrollo Sin embargo las tendencias del mercado la han mantenido lejos de alcanzar una utilizacion generalizada El mercado de memoria Flash ejerce una gran presion para que los fabricantes desarrollen nuevos procesos de integracion logrando chips de 1 Gibit en 65 nm y hasta 16 Gibit en el caso de Samsung en 50 nm 7 La sobreproduccion de DRAM ofrece un retorno de la inversion mucho menor por lo que la mayor parte de la memoria DDR2 se fabrica utilizando procesos antiguos de 90 nm una generacion anterior a las actuales MRAM por su parte se encuentra todavia en estado de desarrollo en gran parte y su produccion se realiza en factorias secundarias El unico producto disponible a gran escala es el chip de 4 Mibit de Freescale Semiconductor que utiliza procesos de varias generaciones de antiguedad de 180 nm La gran demanda de memoria Flash sigue dirigiendo la oferta de forma que los fabricantes no se arriesguen a dedicar sus fabricas principales a la produccion de MRAM En todo caso e incluso utilizando el mismo proceso de fabricacion las celdas MRAM siguen estando muy por encima de los tamanos conseguidos en Flash Historia Editar1955 Utilizacion de memoria de nucleo de ferrita que utilizan el mismo principio operativo para la escritura 1989 Descubrimientos sobre la magnetorresistencia colosal por parte de investigadores de IBM en estructuras de pelicula delgada 2000 IBM e Infineon crean un programa conjunto de desarrollo 2002 NVE realiza un intercambio tecnologico con Cypress Semiconductor 2003 Se presenta un chip de 128 KiB sobre proceso litografico de 180 nm 2004 Junio Infineon desvela un prototipo de 16 Mibit sobre el mismo proceso tecnologico Septiembre Freescale integra la MRAM en sus lineas de productos y ha comenzado a probar su rendimiento Octubre Desarrollo de chips de 1 Mibit en Taiwan TSMC Micron descarta la tecnologia MRAM Diciembre TSMC NEC y Toshiba definen nuevos prototipos Renesas desarrolla MRAM de alta velocidad y fiabilidad 2005 Enero Cypress hace pruebas sobre MRAM usando tecnologia de NVE Marzo Cypress planea vender su division de MRAM Junio Honeywell publica la hoja de caracteristicas de un chip de 1 Mibit en proceso litografico de 150 nm Agosto Establecimiento de record de velocidad de celdas a 2 GHz Noviembre Renesas y Grandis colaboran para desarrollar MRAM de 65 nm basada en STT NVE recibe una subvencion SBIR del gobierno estadounidense para estudiar aplicaciones criptograficas 8 Diciembre Sony anuncia el primer prototipo STT de laboratorio que canaliza corriente a traves de la capa magnetorresistente para la escritura este metodo utiliza menos energia y es mas escalable pudiendo llevar a densidades mayores a las posibles en DRAM Freescale presenta chips basados en oxido de magnesio en vez de oxido de aluminio que logran aislantes de tunel mas finos y una resistencia de bit mas baja en la escritura necesita menos corriente Estado actual Editar 2006 Febrero Toshiba y NEC anuncian un chip de 16 Mibit con un diseno nuevo de potencia power forking que logra anchos de banda de 200 Mbit s con tiempos de ciclo de 34 ns el mejor rendimiento MRAM hasta la fecha Tambien es el mas pequeno de su clase 78 5 milimetros cuadrados y alimentacion a 1 8 V 9 Julio Freescale comercializa un chip de 4 Mibit a un precio aproximado de 25 dolares 10 2007 Agosto IBM y TDK buscan reducir costes y aumentar el rendimiento de las MRAM con miras al lanzamiento de un nuevo producto al mercado 11 2018 Intel anuncia la fabricacion en masa de memoria MRAM 12 13 Aplicaciones EditarEntre los usos que se han propuesto para este tipo de memoria se incluyen Sistemas militares y aeroespaciales Camaras digitales Portatiles Telefonia movil Smartcards Estaciones base Ordenadores personales Reemplazos a SRAM apoyados por baterias Memorias especializadas para cajas negras y otros registros similares Vease tambien EditarMemoria RAM Memoria de ordenador nvSRAM EEPROM FeRAM PRAM s MOSFET NRAM Magnetorresistencia Ferromagnetismo Efecto tunelReferencias Editar Johan Akerman Toward a Universal Memory Science Vol 308 no 5721 22 April 2005 pp 508 510 doi 10 1126 science 1110549 Renesas Grandis to Collaborate on Development of 65 nm MRAM Employing Spin Torque Transfer https web archive org web 20060829203739 http www freescale com files memory doc white paper MRAMWP pdf IBM RD 50 1 Development of the magnetic tunnel junction MRAM at IBM From first junctions to a 16 Mb MRAM demonstrator chip http www research ibm com people l lefurgy Publications mram tr2002 47 pdf PowerPoint Presentation SAMSUNG United States SBIR Phase I Zero Remanence Tamper Responsive Cryptokey Memory Toshiba and NEC Develop World s Fastest Highest Density MRAM NEC Welcome to Freescale Semiconductor News Release Archivado el 13 de octubre de 2007 en Wayback Machine IBM Press room 2007 08 19 IBM and TDK Launch Joint Research amp Development Project for Advanced MRAM United States La memoria MRAM de Intel esta listo para la produccion en masa Profesional Review 20 de febrero de 2019 Consultado el 24 de febrero de 2019 Intel estaria produciendo memorias MRAM en masa para reemplazar a los SSD y la RAM actuales HardwarEsfera 21 de febrero de 2019 Consultado el 24 de febrero de 2019 Enlaces externos EditarInformacion y recursos sobre MRAM IBM research MRAM Richard Butner Articulo de la revista Science de abril de 2005 Articulo de la revista Science de septiembre de 2005 Articulo de Wired News de febrero de 2006 Nota de prensa de NEC de febrero de 2006 Articulo en BBC News de julio de 2006 Freescale MRAM estudio de agosto de 2006 Blog aleman de informacion y noticias sobre MRAM MRAM The Birth of the Super Memory Articulo y entrevista con Freescale sobre la tecnologia de la compania Datos Q1061546 Multimedia Magnetoresistive RAM Obtenido de https es wikipedia org w index php title MRAM amp oldid 125941616, wikipedia, wiki, leyendo, leer, libro, biblioteca,

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