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Nitruro de aluminio

Noviembre 06, 2021

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Este aviso fue puesto el 1 de mayo de 2010.

El nitruro de aluminio (AlN) es un nitruro sólido de aluminio. Tiene una alta conductividad térmica de hasta 285 W/(m·K) y es un aislante eléctrico. Su fase de wurtzita (w-AlN) tiene una banda prohibida de ~ 6 eV a temperatura ambiente y tiene una aplicación potencial en optoelectrónica que opera a frecuencias ultravioleta profundas.

 
Nitruro de aluminio
Fórmula molecular ?
Identificadores
Número CAS 24304-00-5[1]​
ChEBI 50884
ChemSpider 81668
PubChem 90455
UNII 7K47D7P3M0
InChI=InChI=1S/Al.N
Key: PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N
Propiedades físicas
Masa molar 40,984613 g/mol
Índice de refracción (nD) 2,05±1,15
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Aplicaciones

En los últimos años se ha realizado un esfuerzo importante en la búsqueda de nuevos materiales con estructuras cada vez más complejas, que presenten a la vez propiedades de conducción iónica y electrónica. [2]​ Este tipo de materiales, como el nitruro de aluminio, tienen aplicaciones en campos importantes de la tecnología como componentes de diversos dispositivos optoelectrónicos. De entre los nuevos materiales estudiados se destacan los nitruros metálicos. En este tipo de compuestos no existe todavía un conocimiento profundo de los mecanismos de transporte de carga por lo que se hace necesario un estudio fundamental en muestras de gran calidad cristalina. [3]​

Como película policristalina orientada en el eje c, el nitruro de aluminio (AlN) se puede implementar como componente en sensores ópticos en el rango de ultravioleta (UV), así como en dispositivos óptico-acústicos.[4]​

Existe un amplio interés en el nitruro de aluminio hexagonal por su aplicación en LED's y detectores en el azul y ultravioleta, debido a su notable estabilidad térmica y química, también es conveniente para su aplicación en ambientes extremos de altas temperaturas. [5]​[6]​

Es de gran importancia para el país el estudio y desarrollo de nuevas técnicas de investigación como la deposición por láser pulsado (PLD) ya que se pueden generar nuevos materiales nanoestructurados como es en este caso el de los nitruros del grupo III-V uno de ellos el AlN pues está siendo objeto de estudio debido a sus amplias perspectivas de aplicación en dispositivos semiconductores en las regiones de las longitudes de onda del azul y el ultravioleta; además de que se crean jóvenes investigadores que pueden contribuir a la ciencia y desarrollo del país con la ayuda de las universidades que trabajan en estos temas y de los grupos que existen en estas líneas de investigación posibilitando avances tecnológicos necesarios para la industria nacional.

Material

El nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal, con una estructura de tipo wurtzita (caracterizada por sus constantes de red a y c) experimentalmente se encuentra que la fase wurzita es la estructura cristalina más estable para el AlN. Es el material de banda más ancha a temperatura ambiente (Eg =6.2 eV) siendo considerado un semiconductor del grupo III-V lo que le confiere propiedades luminiscentes. [7]​ La luminiscencia es un proceso que se caracteriza por un espectro de emisión con una banda dominante centrada en 400 nm, aproximadamente. Esta emisión se atribuye a una recombinación de procesos relacionados con los dominios de oxígeno en la red de AlN. [8]​ Igualmente el AlN posee altas propiedades como dureza (2x103 kgf mm-2), temperatura de fusión (2400º C), así como una velocidad acústica alta (5760 m/s) [9]​

Cada átomo de aluminio está ligado a cuatro átomos de nitrógeno y viceversa, formando un tetraedro distorsionado con tres enlaces Al-N(i) (i = 1,2,3) separados 120º y situados en un plano perpendicular al enlace Al-N(0) en la dirección del eje c, como se observa en la figura 1.[10]​

La técnica que se empleará para el depósito de las películas de nitruro de aluminio es la deposición por láser pulsado. Inicialmente esta técnica era poco considerada debido a su tendencia de depositar macropartículas junto con átomos y moléculas. Sin embargo, debido al éxito para depositar capas finas de cerámicas superconductoras de alta temperatura crítica, se despertó un gran interés en el perfeccionamiento de la técnica, utilizándose hoy ya en escala industrial. La interacción de los pulsos de alta densidad de energía del láser con un material sólido, usualmente de excímero, es capaz de generar partículas con características fuera del equilibrio.

La mayoría de éstas son especies atómicas y moleculares, electrónica y vibracionalmente excitadas, con energías cinéticas suficientes para superar las barreras que conduzcan a la formación de nuevos compuestos o fases singulares la técnica puede dar origen a la formación de compuestos en fases metaestables con propiedades únicas.

El nitruro de aluminio que se desea depositar se caracterizará tanto desde el punto de vista estructural y cristalográfico como desde el punto de vista piezoeléctrico. Estas caracterizaciones se llevan a cabo paralelamente con las tareas de producción del material. De esta manera es posible aplicar la información obtenida a la selección de los parámetros de depósito del AlN para conseguir un material con las propiedades cristalinas, morfológicas y piezoeléctricas óptimas.

Calidad cristalina del nitruro de aluminio

Desde un punto de vista cristalográfico un material policristalino es bueno cuando el tamaño de sus microcristales es grande en la dirección perpendicular al sustrato y cuando éstos se encuentran muy bien orientados. Puesto que el nitruro de aluminio con estructura wurtzita tiene cuatro átomos en la celda unitaria, existen nueve modos ópticos y tres modos acústicos para k ≈ 0 (en el centro de la zona de Brillouin) los cuales son teóricamente:

  • (E2) 303 cm-1
  • (E2) 426 cm-1
  • (A1) 514 cm-1
  • (E1) 614 cm-1
  • (A1) 663 cm-1
  • (E1) 671.6 cm-1
  • (A1) 659.3 cm-1
  • (E1) 821 cm-1
  • (E1) 895 cm-1 [11]​

De entre todos estos modos, sólo los modos A1 y E1 pueden activarse por la radiación infrarroja [12,14].[11]​[12]​ Dichos picos corresponden a los modos transversales ópticos E1(TO) 671.6 cm-1 y A1(TO) 614 cm-1 del nitruro de aluminio hexagonal. El modo E1(TO) en 671.6 cm-1 se excita por un campo eléctrico perpendicular al eje c de la molécula, mientras que el modo A1(TO) en 614 cm-1 se excita por un campo paralelo a dicho eje. Por lo tanto, el aspecto de los dos picos del espectro dará información sobre la posición de las moléculas de nitruro de aluminio y, por tanto, la orientación de los microcristales, respecto al haz de luz incidente.

La existencia de estos dos picos se debe a la excitación por parte de la señal incidente de los modos ópticos E1(TO) y A1(TO) (esquematizados en la figura 2) debido a la diferencia de electronegatividad entre los átomos de nitrógeno y los de aluminio en la molécula de AlN.

Estudio estructural del AlN

El método comúnmente utilizado para determinar la calidad cristalina de las películas policristalinas es la difracción de rayos X, ya que proporciona de forma directa información sobre la orientación cristalina, el estrés y el tamaño de grano. La difracción de rayos X (DRX) es una técnica no destructiva de análisis de materiales que se basa en el hecho de que los cristales difractan los rayos X que inciden sobre ellos de una forma que depende de su estructura. La difracción es un fenómeno relacionado con la forma en la que interactúan dos o más ondas cuyas fases son diferentes debido a la diferencia entre los caminos que recorren.[13]​ Sin embargo, ésta es una técnica relativamente cara y las medidas llevan mucho tiempo, mientras que, por el contrario, la espectroscopia de absorción de infrarrojos por transformada de Fourier es una técnica rápida y más barata. El aspecto de los picos de los espectros de FT-IR del nitruro de aluminio está relacionado con la orientación del material, por lo que dicha técnica podría ser una alternativa a las medidas habituales de DRX.

Al ser una técnica complementaria que permite conocer que estructura se ha formado en la película, es de interés el tener difracciones en los planos (002), (101), (102) bien definidos pues estos garantizan un material con propiedades piezoeléctricas.

Estudio vibracional del AlN

La espectrofotometría de infrarrojos por transformada de Fourier (FT-IR) es una técnica no destructiva ampliamente utilizada en la caracterización de materiales en forma de película delgada, que se basa en la absorción de fotones por los modos de vibración de los átomos enlazados en un sólido al hacer incidir sobre él un rayo de luz con una longitud de onda concreta en el rango del infrarrojo medio. Esta absorción se produce si la diferencia de electronegatividad entre los distintos átomos de la molécula es apreciable, y tiene lugar para unas frecuencias características que dependen del modo de vibración de los enlaces y del entorno químico, ya que para que un enlace absorba un fotón es necesario que la frecuencia de la luz incidente coincida con la frecuencia de vibración del enlace. [14]​ Por lo tanto, la posición y la intensidad de las bandas de absorción en el infrarrojo obtenidas permiten, en teoría, identificar los enlaces, determinar su estructura y estimar su concentración.

Las películas se analizaran con FTIR ya que con esta espectroscopia se pueden observar las frecuencias de vibración características de los enlaces de aluminio y además se puede determinar que tipo de estructura toma el aluminio con el nitrógeno y de esta manera encontrar la película con las mejores propiedades para ser un buen piezoeléctrico.

Respuesta piezoeléctrica del material

La piezoelectricidad consiste en la generación de un campo eléctrico en un material al serle aplicada una tensión mecánica que modifique su forma (efecto directo), o también en el cambio en la forma del material al aplicársele un cierto campo eléctrico (efecto inverso). Por lo tanto, es un mecanismo de conversión de energía mecánica en eléctrica y viceversa. [15]​

Las características cristalinas del material (orientación de los cristales, tamaño de grano y estructura) condicionan sus propiedades piezoeléctricas. Los sistemas relevantes en cuestiones piezoeléctricas son los sistemas cúbico, ortorrómbico, tetragonal, trigonal y hexagonal. Como ya se ha mencionado, el nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal, con simetría alrededor del eje c, por lo que debemos buscar un AlN hexagonal para garantizar una respuesta piezoeléctrica.

Cabe anotar que las películas de nitruro de aluminio pueden presentar dos polaridades distintas dependiendo de la colocación de la celda unitaria, según el átomo central del tetraedro sea un átomo de aluminio o uno de nitrógeno.

Las propiedades morfológicas del material obtenido dependen en gran medida de su polaridad, ya que las películas terminadas en nitrógeno suelen tener una mayor rugosidad que las terminadas en aluminio, pero en cambio su calidad cristalina es mejor. [16]​Las condiciones iniciales de depósito influyen en gran medida en la polaridad del material obtenido. Aunque en principio podría pensarse que todo el material tiene la misma polaridad, sin embargo es posible que existan zonas en las que los cristales tienen distintas polaridades. La presencia de estos dominios de inversión se ha atribuido a distintas causas, como la naturaleza de la superficie del sustrato,[17]​ los defectos extendidos relacionados con la presencia de átomos de oxígeno [18] [18]​ y otras condiciones propias del crecimiento.

Referencias

  1. Número CAS
  2. Pérez Taborda, Jaime Andrés; Caicedo, J. C.; Grisales, M.; Saldarriaga, W.; Riascos, H. (1 de junio de 2015). «Deposition pressure effect on chemical, morphological and optical properties of binary Al-nitrides». Optics & Laser Technology (en inglés) 69: 92-103. ISSN 0030-3992. doi:10.1016/j.optlastec.2014.12.009. Consultado el 9 de septiembre de 2020. 
  3. K. Tsubouchi, K. Sugai and N. Mikoshiba, IEEE Ultrason. Symp. Proc. 1 (1981) : 375-380
  4. G. Carlotti, G. Gubbiotti, F. S. Hickernell, H. M. Liaw and G. Socino, Thin Solid Films 310 (1997) : 34-38
  5. G. F. Iriarte, AlN Thin Film Electroacoustic Devices, Acta Universitatis Upsaliensis, Uppsala Universitet, 2003.
  6. M. A. Dubois, Aluminium nitride and lead zirconate-titanate thin films for ultrasonic applications: Integration, properties and devices, Tesis doctoral, Département des Matériaux, Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (Suiza), 1999.
  7. I. Vurghaftman, J. R. Meyer and L. R. Ram- Mohan, J. Appl. Physics 89 (2001) : 5815- 5875
  8. A.S. Gudovskikh, J. Alvarez, J.P. Kleider, V.P Afanasjev, V.V. Luchinin, A.P. Sazanov, E.I. Terukov, Sensors Actuators A-Phys 113 (2004): 355-359
  9. J. Emsley. The elements. Claredon Press. Tercera edición. 1988. Oxford, RU
  10. T. Ikeda, Fundamentals of Piezoelectricity, Oxford University Press, Nueva York, 1996.
  11. ↑ Jaime Andrés Pérez Taborda, “PELÍCULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO (AlN)”. Scientia Et Technica ISSN 0122-1701. Universidad Tecnológica de Pereira v.16 fasc.48 p.218 - 223 ,2011
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  14. L. Vergara, Películas delgadas de nitruro de aluminio depositadas por pulverización y su aplicación a dispositivos de ondas acústicas.(2005) : 12-56.
  15. T. R. Yang, M. M. Dvoynenko, Y. F. Cheng and Z. C. Feng, Physica B 324 (2002) : 268-278
  16. J. A. Ruffner, P. G. Clem, B. A. Tuttle, D. Dimos and D. M. Gonzales, Thin Solid Films 354 (1999) : 256-261
  17. J. Chaudhuri, L. Nyakiti, R.G. Lee, Z. Gu, J.H. Edgar, J.G. Wen, Mater Charac 58 (2006) 8-9 : 672-679
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Bibliografía

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  19. J.A. Pérez, H. Riascos, J. C. Caicedo, G. Cabrera, L. Yate, (2011) J. Phys.: Conf. Ser. 274 012119
  20. J.A.Pérez et al. Neogranadina Science and Engineering, Vol. 20 (2010) pp.107-115.
  •   Datos: Q414445

Noviembre 06, 2021
nitruro, aluminio, este, artículo, sección, sobre, química, tecnología, necesita, wikificado, favor, edítalo, para, cumpla, convenciones, estilo, este, aviso, puesto, mayo, 2010, nitruro, aluminio, nitruro, sólido, aluminio, tiene, alta, conductividad, térmica. Este articulo o seccion sobre quimica y tecnologia necesita ser wikificado por favor editalo para que cumpla con las convenciones de estilo Este aviso fue puesto el 1 de mayo de 2010 El nitruro de aluminio AlN es un nitruro solido de aluminio Tiene una alta conductividad termica de hasta 285 W m K y es un aislante electrico Su fase de wurtzita w AlN tiene una banda prohibida de 6 eV a temperatura ambiente y tiene una aplicacion potencial en optoelectronica que opera a frecuencias ultravioleta profundas Nitruro de aluminioFormula molecular IdentificadoresNumero CAS24304 00 5 1 ChEBI50884ChemSpider81668PubChem90455UNII7K47D7P3M0InChIInChI InChI 1S Al N Key PIGFYZPCRLYGLF UHFFFAOYSA NPropiedades fisicasMasa molar40 984613 g molIndice de refraccion nD 2 05 1 15 editar datos en Wikidata Indice 1 Aplicaciones 2 Material 3 Calidad cristalina del nitruro de aluminio 4 Estudio estructural del AlN 5 Estudio vibracional del AlN 6 Respuesta piezoelectrica del material 7 Referencias 8 BibliografiaAplicaciones EditarEn los ultimos anos se ha realizado un esfuerzo importante en la busqueda de nuevos materiales con estructuras cada vez mas complejas que presenten a la vez propiedades de conduccion ionica y electronica 2 Este tipo de materiales como el nitruro de aluminio tienen aplicaciones en campos importantes de la tecnologia como componentes de diversos dispositivos optoelectronicos De entre los nuevos materiales estudiados se destacan los nitruros metalicos En este tipo de compuestos no existe todavia un conocimiento profundo de los mecanismos de transporte de carga por lo que se hace necesario un estudio fundamental en muestras de gran calidad cristalina 3 Como pelicula policristalina orientada en el eje c el nitruro de aluminio AlN se puede implementar como componente en sensores opticos en el rango de ultravioleta UV asi como en dispositivos optico acusticos 4 Existe un amplio interes en el nitruro de aluminio hexagonal por su aplicacion en LED s y detectores en el azul y ultravioleta debido a su notable estabilidad termica y quimica tambien es conveniente para su aplicacion en ambientes extremos de altas temperaturas 5 6 Es de gran importancia para el pais el estudio y desarrollo de nuevas tecnicas de investigacion como la deposicion por laser pulsado PLD ya que se pueden generar nuevos materiales nanoestructurados como es en este caso el de los nitruros del grupo III V uno de ellos el AlN pues esta siendo objeto de estudio debido a sus amplias perspectivas de aplicacion en dispositivos semiconductores en las regiones de las longitudes de onda del azul y el ultravioleta ademas de que se crean jovenes investigadores que pueden contribuir a la ciencia y desarrollo del pais con la ayuda de las universidades que trabajan en estos temas y de los grupos que existen en estas lineas de investigacion posibilitando avances tecnologicos necesarios para la industria nacional Material EditarEl nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal con una estructura de tipo wurtzita caracterizada por sus constantes de red a y c experimentalmente se encuentra que la fase wurzita es la estructura cristalina mas estable para el AlN Es el material de banda mas ancha a temperatura ambiente Eg 6 2 eV siendo considerado un semiconductor del grupo III V lo que le confiere propiedades luminiscentes 7 La luminiscencia es un proceso que se caracteriza por un espectro de emision con una banda dominante centrada en 400 nm aproximadamente Esta emision se atribuye a una recombinacion de procesos relacionados con los dominios de oxigeno en la red de AlN 8 Igualmente el AlN posee altas propiedades como dureza 2x103 kgf mm 2 temperatura de fusion 2400º C asi como una velocidad acustica alta 5760 m s 9 Cada atomo de aluminio esta ligado a cuatro atomos de nitrogeno y viceversa formando un tetraedro distorsionado con tres enlaces Al N i i 1 2 3 separados 120º y situados en un plano perpendicular al enlace Al N 0 en la direccion del eje c como se observa en la figura 1 10 La tecnica que se empleara para el deposito de las peliculas de nitruro de aluminio es la deposicion por laser pulsado Inicialmente esta tecnica era poco considerada debido a su tendencia de depositar macroparticulas junto con atomos y moleculas Sin embargo debido al exito para depositar capas finas de ceramicas superconductoras de alta temperatura critica se desperto un gran interes en el perfeccionamiento de la tecnica utilizandose hoy ya en escala industrial La interaccion de los pulsos de alta densidad de energia del laser con un material solido usualmente de excimero es capaz de generar particulas con caracteristicas fuera del equilibrio La mayoria de estas son especies atomicas y moleculares electronica y vibracionalmente excitadas con energias cineticas suficientes para superar las barreras que conduzcan a la formacion de nuevos compuestos o fases singulares la tecnica puede dar origen a la formacion de compuestos en fases metaestables con propiedades unicas El nitruro de aluminio que se desea depositar se caracterizara tanto desde el punto de vista estructural y cristalografico como desde el punto de vista piezoelectrico Estas caracterizaciones se llevan a cabo paralelamente con las tareas de produccion del material De esta manera es posible aplicar la informacion obtenida a la seleccion de los parametros de deposito del AlN para conseguir un material con las propiedades cristalinas morfologicas y piezoelectricas optimas Calidad cristalina del nitruro de aluminio EditarDesde un punto de vista cristalografico un material policristalino es bueno cuando el tamano de sus microcristales es grande en la direccion perpendicular al sustrato y cuando estos se encuentran muy bien orientados Puesto que el nitruro de aluminio con estructura wurtzita tiene cuatro atomos en la celda unitaria existen nueve modos opticos y tres modos acusticos para k 0 en el centro de la zona de Brillouin los cuales son teoricamente E2 303 cm 1 E2 426 cm 1 A1 514 cm 1 E1 614 cm 1 A1 663 cm 1 E1 671 6 cm 1 A1 659 3 cm 1 E1 821 cm 1 E1 895 cm 1 11 De entre todos estos modos solo los modos A1 y E1 pueden activarse por la radiacion infrarroja 12 14 11 12 Dichos picos corresponden a los modos transversales opticos E1 TO 671 6 cm 1 y A1 TO 614 cm 1 del nitruro de aluminio hexagonal El modo E1 TO en 671 6 cm 1 se excita por un campo electrico perpendicular al eje c de la molecula mientras que el modo A1 TO en 614 cm 1 se excita por un campo paralelo a dicho eje Por lo tanto el aspecto de los dos picos del espectro dara informacion sobre la posicion de las moleculas de nitruro de aluminio y por tanto la orientacion de los microcristales respecto al haz de luz incidente La existencia de estos dos picos se debe a la excitacion por parte de la senal incidente de los modos opticos E1 TO y A1 TO esquematizados en la figura 2 debido a la diferencia de electronegatividad entre los atomos de nitrogeno y los de aluminio en la molecula de AlN Estudio estructural del AlN EditarEl metodo comunmente utilizado para determinar la calidad cristalina de las peliculas policristalinas es la difraccion de rayos X ya que proporciona de forma directa informacion sobre la orientacion cristalina el estres y el tamano de grano La difraccion de rayos X DRX es una tecnica no destructiva de analisis de materiales que se basa en el hecho de que los cristales difractan los rayos X que inciden sobre ellos de una forma que depende de su estructura La difraccion es un fenomeno relacionado con la forma en la que interactuan dos o mas ondas cuyas fases son diferentes debido a la diferencia entre los caminos que recorren 13 Sin embargo esta es una tecnica relativamente cara y las medidas llevan mucho tiempo mientras que por el contrario la espectroscopia de absorcion de infrarrojos por transformada de Fourier es una tecnica rapida y mas barata El aspecto de los picos de los espectros de FT IR del nitruro de aluminio esta relacionado con la orientacion del material por lo que dicha tecnica podria ser una alternativa a las medidas habituales de DRX Al ser una tecnica complementaria que permite conocer que estructura se ha formado en la pelicula es de interes el tener difracciones en los planos 002 101 102 bien definidos pues estos garantizan un material con propiedades piezoelectricas Estudio vibracional del AlN EditarLa espectrofotometria de infrarrojos por transformada de Fourier FT IR es una tecnica no destructiva ampliamente utilizada en la caracterizacion de materiales en forma de pelicula delgada que se basa en la absorcion de fotones por los modos de vibracion de los atomos enlazados en un solido al hacer incidir sobre el un rayo de luz con una longitud de onda concreta en el rango del infrarrojo medio Esta absorcion se produce si la diferencia de electronegatividad entre los distintos atomos de la molecula es apreciable y tiene lugar para unas frecuencias caracteristicas que dependen del modo de vibracion de los enlaces y del entorno quimico ya que para que un enlace absorba un foton es necesario que la frecuencia de la luz incidente coincida con la frecuencia de vibracion del enlace 14 Por lo tanto la posicion y la intensidad de las bandas de absorcion en el infrarrojo obtenidas permiten en teoria identificar los enlaces determinar su estructura y estimar su concentracion Las peliculas se analizaran con FTIR ya que con esta espectroscopia se pueden observar las frecuencias de vibracion caracteristicas de los enlaces de aluminio y ademas se puede determinar que tipo de estructura toma el aluminio con el nitrogeno y de esta manera encontrar la pelicula con las mejores propiedades para ser un buen piezoelectrico Respuesta piezoelectrica del material EditarLa piezoelectricidad consiste en la generacion de un campo electrico en un material al serle aplicada una tension mecanica que modifique su forma efecto directo o tambien en el cambio en la forma del material al aplicarsele un cierto campo electrico efecto inverso Por lo tanto es un mecanismo de conversion de energia mecanica en electrica y viceversa 15 Las caracteristicas cristalinas del material orientacion de los cristales tamano de grano y estructura condicionan sus propiedades piezoelectricas Los sistemas relevantes en cuestiones piezoelectricas son los sistemas cubico ortorrombico tetragonal trigonal y hexagonal Como ya se ha mencionado el nitruro de aluminio cristaliza en el sistema hexagonal con simetria alrededor del eje c por lo que debemos buscar un AlN hexagonal para garantizar una respuesta piezoelectrica Cabe anotar que las peliculas de nitruro de aluminio pueden presentar dos polaridades distintas dependiendo de la colocacion de la celda unitaria segun el atomo central del tetraedro sea un atomo de aluminio o uno de nitrogeno Las propiedades morfologicas del material obtenido dependen en gran medida de su polaridad ya que las peliculas terminadas en nitrogeno suelen tener una mayor rugosidad que las terminadas en aluminio pero en cambio su calidad cristalina es mejor 16 Las condiciones iniciales de deposito influyen en gran medida en la polaridad del material obtenido Aunque en principio podria pensarse que todo el material tiene la misma polaridad sin embargo es posible que existan zonas en las que los cristales tienen distintas polaridades La presencia de estos dominios de inversion se ha atribuido a distintas causas como la naturaleza de la superficie del sustrato 17 los defectos extendidos relacionados con la presencia de atomos de oxigeno 18 18 y otras condiciones propias del crecimiento Referencias Editar Numero CAS Perez Taborda Jaime Andres Caicedo J C Grisales M Saldarriaga W Riascos H 1 de junio de 2015 Deposition pressure effect on chemical morphological and optical properties of binary Al nitrides Optics amp Laser Technology en ingles 69 92 103 ISSN 0030 3992 doi 10 1016 j optlastec 2014 12 009 Consultado el 9 de septiembre de 2020 K Tsubouchi K Sugai and N Mikoshiba IEEE Ultrason Symp Proc 1 1981 375 380 G Carlotti G Gubbiotti F S Hickernell H M Liaw and G Socino Thin Solid Films 310 1997 34 38 G F Iriarte AlN Thin Film Electroacoustic Devices Acta Universitatis Upsaliensis Uppsala Universitet 2003 M A Dubois Aluminium nitride and lead zirconate titanate thin films for ultrasonic applications Integration properties and devices Tesis doctoral Departement des Materiaux Ecole Polytechnique Federale de Lausanne Suiza 1999 I Vurghaftman J R Meyer and L R Ram Mohan J Appl Physics 89 2001 5815 5875 A S Gudovskikh J Alvarez J P Kleider V P Afanasjev V V Luchinin A P Sazanov E I Terukov Sensors Actuators A Phys 113 2004 355 359 J Emsley The elements Claredon Press Tercera edicion 1988 Oxford RU T Ikeda Fundamentals of Piezoelectricity Oxford University Press Nueva York 1996 a b Jaime Andres Perez Taborda PELICULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO AlN Scientia Et Technica ISSN 0122 1701 Universidad Tecnologica de Pereira v 16 fasc 48 p 218 223 2011 T R Yang M M Dvoynenko Y F Cheng and Z C Feng Physica B 324 2002 268 278 X B Zhang T Taliercio S Kolliakos and P Lefebvre J Phys Condens Matter 13 2001 7053 7074 L Vergara Peliculas delgadas de nitruro de aluminio depositadas por pulverizacion y su aplicacion a dispositivos de ondas acusticas 2005 12 56 T R Yang M M Dvoynenko Y F Cheng and Z C Feng Physica B 324 2002 268 278 J A Ruffner P G Clem B A Tuttle D Dimos and D M Gonzales Thin Solid Films 354 1999 256 261 J Chaudhuri L Nyakiti R G Lee Z Gu J H Edgar J G Wen Mater Charac 58 2006 8 9 672 679 J H Harris R A Youngman and R G Teller J Mater Res 5 1990 1763 1773Bibliografia EditarJaime Andres Perez Propiedades estructurales y opticas de compuestos AIN GaN InN Revista Tumbaga 6 Universidad del Tolima 2011 http dx doi org 10 1016 j optlastec 2014 12 009 K Tsubouchi K Sugai and N Mikoshiba IEEE Ultrason Symp Proc 1 1981 375 380 G Carlotti G Gubbiotti F S Hickernell H M Liaw and G Socino Thin Solid Films 310 1997 34 38 M A Dubois Aluminium nitride and lead zirconate titanate thin films for ultrasonic applications Integration properties and devices Tesis doctoral Departement des Materiaux Ecole Polytechnique Federale de Lausanne Suiza 1999 H Harima J Phys Condens Matter 14 2002 R967 R993 G F Iriarte AlN Thin Film Electroacoustic Devices Acta Universitatis Upsaliensis Uppsala Universitet 2003 I Vurghaftman J R Meyer and L R Ram Mohan J Appl Physics 89 2001 5815 5875 A S Gudovskikh J Alvarez J P Kleider V P Afanasjev V V Luchinin A P Sazanov E I Terukov Sensors Actuators A Phys 113 2004 355 359 J Emsley The elements Claredon Press Tercera edicion 1988 Oxford RU T Ikeda Fundamentals of Piezoelectricity Oxford University Press Nueva York 1996 L Vergara Peliculas delgadas de nitruro de aluminio depositadas por pulverizacion y su aplicacion a dispositivos de ondas acusticas 2005 12 56 Jaime Andres Perez Taborda PEL ICULAS DELGADAS DE NITRURO DE ALUMINIO AlN Scientia Et Technica ISSN 0122 1701 Universidad Tecnolo gica de Pereira v 16 fasc 48 p 218 223 2011 X B Zhang T Taliercio S Kolliakos and P Lefebvre J Phys Condens Matter 13 2001 7053 7074 T R Yang M M Dvoynenko Y F Cheng and Z C Feng Physica B 324 2002 268 278 Q S Paduano D W Weyburne J Jasinski and Z Liliental Weber Journal of Cryst Growth 261 2004 259 265 J A Ruffner P G Clem B A Tuttle D Dimos and D M Gonzales Thin Solid Films 354 1999 256 261 J Chaudhuri L Nyakiti R G Lee Z Gu J H Edgar J G Wen Mater Charac 58 2006 8 9 672 679 J H Harris R A Youngman and R G Teller J Mater Res 5 1990 1763 1773 J A Perez H Riascos J C Caicedo G Cabrera L Yate 2011 J Phys Conf Ser 274 012119 J A Perez et al Neogranadina Science and Engineering Vol 20 2010 pp 107 115 Datos Q414445 Obtenido de https es wikipedia org w index php title Nitruro de aluminio amp oldid 138995886, wikipedia, wiki, leyendo, leer, libro, biblioteca,

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