Fosfuro de indio
El fosfuro de indio (InP) es un compuesto formado por fósforo e indio. Es un material semiconductor similar al arseniuro de galio.
| Fosfuro de indio | ||
|---|---|---|
| General | ||
| Otros nombres | fosfuro de indio (III) | |
| Fórmula molecular | InP | |
| Identificadores | ||
| Número CAS | 22398-80-7[1] | |
| InChI=InChI=1S/In.P Key: GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N | ||
| Propiedades físicas | ||
| Densidad | 4810 kg/m³; 4,81 g/cm³ | |
| Masa molar | 145.792 g/mol | |
| Punto de fusión | 1062 °C (1335 K) | |
| Estructura cristalina | cúbico | |
| Índice de refracción (nD) | 3.1 (infrarrojo) | |
| Conductividad térmica | 0.68 | |
| Banda prohibida | 1.344 eV | |
| Valores en el SI y en condiciones estándar (25 ℃ y 1 atm), salvo que se indique lo contrario. | ||
Propiedades
El compuesto posee una estructura cristalina cúbica de cristales negros, ligeramente verdes.
El InP tiene una banda prohibida directa, a diferencia del arseniuro de galio, además de una alta velocidad de deriva, mayor que las del silicio o germanio.[2]
Aplicaciones
Sus propiedades de banda prohibida y alta velocidad electrónica lo hacen adecuado para construir dispositivos optoelectrónicos de alta velocidad como diodos laser, pero debido a dificultades en su utilización, actualmente solo se utiliza como substrato, para el arseniuro de indio-galio, ya que su Estructura cristalina tiene el mismo tamaño que este, 5,87 ángstroms[3]
Referencias
- Número CAS
- InP - Band structure and carrier concentration
- Indium phosphide semiconductors el 25 de abril de 2013 en Wayback Machine. Microwave Encyclopedia
Enlaces externos
- Información detallada del InP