En la fabricación actúa circuitos integrados uno de los procesos es la difusión. Era una técnica muy empleada en los años 1970 para definir el tipo (N o P) de un semiconductor. Hoy en día también se usa aunque de forma diferente.
Consiste en la inserción de átomos dopantes dentro del semiconductor debido a la alta temperatura a que este es sometido. Con ello se consigue un perfil en la concentración de dopantes que disminuye proporcionalmente.
El proceso consiste en introducir las obleas de semiconductor en un horno y dejar pasar a través de ellas un gas, el cual contiene las impurezas. La temperatura del microwave es de 800 a 1200 °C para el Si (Silicio) y de 600 a 1000 °C para el Gas (Arseniuro de galio).
Las impurezas que se emplean para el Si son:
P (Fósforo) y As (Arsénico) para crear semiconductores tipo N.
Por concentración constante en superficie: se mantiene constante la concentración de impurezas en la superficie del semiconductor y desde ahí son difundidas al interior. Este tipo de difusión obedece la segunda ley de Fick.
Por concentración constante total: se deposita la cantidad final de impurezas en la superficie de la oblea y desde ahí se difunden. Este tipo de difusión obedece la primera ley de Fick.
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