Una memoria no volátil es reprogramable cuando su contenido se puede variar después de ser programada. El primer dispositivo de memoria no volátil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967.
Estos dispositivos se basan en la modificación de la carga eléctrica atrapada en la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto. Las 3 principales se detallan a continuación.
Celda FAMOS
Estructura FAMOS
La estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) se muestra en la figura 1. Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por dióxido de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se polariza para alcanzar tensión de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el óxido. Esta carga modifica la tensión umbral del transistor.
Celda MIOS
Estructura MIOS
Memoria EAROM de tecnología MNOS
La estructura MIOS (Metal-Insulator-SiO2-Si) es un transistor MOS con dos capas de dieléctricos distintos en la puerta. La clase más popular es la MNOS (Metal-Nitruro de silicio-Oxido de silicio-Silicio). Los electrones cruzan el SiO2 por efecto túnel y la capa de nitruro por emisión de Frankel-Poole. Los MIOS se pueden borrar eléctricamente, y son la base de las memorias EAROM (Electrically alterable ROM)
Celda SAMOS
Estructura SAMOS
La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura 3) proviene de la FAMOS, añadiéndole una segunda puerta. Esta segunda puerta, además de permitir el borrado eléctrico, facilita la escritura. Esta estructura es la base de las memorias EEPROM
memoria, reprogramable, este, artículo, sección, necesita, referencias, aparezcan, publicación, acreditada, este, aviso, puesto, junio, 2011, memoria, volátil, reprogramable, cuando, contenido, puede, variar, después, programada, primer, dispositivo, memoria, . Este articulo o seccion necesita referencias que aparezcan en una publicacion acreditada Este aviso fue puesto el 11 de junio de 2011 Una memoria no volatil es reprogramable cuando su contenido se puede variar despues de ser programada El primer dispositivo de memoria no volatil fue propuesto por Kahng y Sze en 1967 Estos dispositivos se basan en la modificacion de la carga electrica atrapada en la puerta de un transistor mos Existen varias estructuras para conseguir esto Las 3 principales se detallan a continuacion Celda FAMOS Indice 1 Estructura FAMOS 2 Estructura MIOS 3 Estructura SAMOS 4 Vease tambienEstructura FAMOS EditarLa estructura FAMOS Floating gate Avalanche injection MOS se muestra en la figura 1 Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada totalmente por dioxido de silicio Para grabar la memoria el drenador se polariza para alcanzar tension de avalancha y los electrones de avalancha se inyectan en el oxido Esta carga modifica la tension umbral del transistor Celda MIOSEstructura MIOS Editar Memoria EAROM de tecnologia MNOSLa estructura MIOS Metal Insulator SiO2 Si es un transistor MOS con dos capas de dielectricos distintos en la puerta La clase mas popular es la MNOS Metal Nitruro de silicio Oxido de silicio Silicio Los electrones cruzan el SiO2 por efecto tunel y la capa de nitruro por emision de Frankel Poole Los MIOS se pueden borrar electricamente y son la base de las memorias EAROM Electrically alterable ROM Celda SAMOSEstructura SAMOS EditarLa estructura SAMOS Stacked gate Avalanche injection MOS Figura 3 proviene de la FAMOS anadiendole una segunda puerta Esta segunda puerta ademas de permitir el borrado electrico facilita la escritura Esta estructura es la base de las memorias EEPROMVease tambien EditarEEPROM EPROM PROM ROM Datos Q3822837 Obtenido de https es wikipedia org w index php title Memoria reprogramable amp oldid 117367698, wikipedia, wiki, leyendo, leer, libro, biblioteca,
