EEPROM o E²PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable y borrable eléctricamente).[1] Es un tipo de memoriaROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta. Son memorias no volátiles.
EEPROM de Silicon Storage Technology 39VF512.
Las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas por un transistorMOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado normal está cortado y la salida proporciona un 1 lógico.
Aunque una EEPROM puede ser leída un número ilimitado de veces, sólo puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un millón de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I²C, SPI y Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunión de Aparatos Electrónicos del IEEE de 1984. Intel vio el potencial de la invención y en 1988 lanzó el primer chip comercial de tipo NOR.
Referencias
Suzuki, E.; Hiraishi, H.; Ishii, K.; Hayashi, Y. (1983). A low-voltage alterable EEPROM with metal—oxide-nitride—oxide—semiconductor (MONOS) structures30 (2). IEEE Transactions on Electron Devices. pp. 122-128. ISSN 0018-9383. doi:10.1109/T-ED.1983.21085.|fechaacceso= requiere |url= (ayuda)
eeprom, este, artículo, sección, necesita, referencias, aparezcan, publicación, acreditada, este, aviso, puesto, junio, 2011, prom, siglas, electrically, erasable, programmable, read, only, memory, programable, borrable, eléctricamente, tipo, memoria, puede, p. Este articulo o seccion necesita referencias que aparezcan en una publicacion acreditada Este aviso fue puesto el 11 de junio de 2011 EEPROM o E PROM son las siglas de Electrically Erasable Programmable Read Only Memory ROM programable y borrable electricamente 1 Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada borrada y reprogramada electricamente a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioleta Son memorias no volatiles EEPROM de Silicon Storage Technology 39VF512 Las celdas de memoria de una EEPROM estan constituidas por un transistor MOS que tiene una compuerta flotante estructura SAMOS su estado normal esta cortado y la salida proporciona un 1 logico Aunque una EEPROM puede ser leida un numero ilimitado de veces solo puede ser borrada y reprogramada entre 100 000 y un millon de veces Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como I C SPI y Microwire En otras ocasiones se integra dentro de chips como microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr Fujio Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la Reunion de Aparatos Electronicos del IEEE de 1984 Intel vio el potencial de la invencion y en 1988 lanzo el primer chip comercial de tipo NOR Referencias Editar Suzuki E Hiraishi H Ishii K Hayashi Y 1983 A low voltage alterable EEPROM with metal oxide nitride oxide semiconductor MONOS structures 30 2 IEEE Transactions on Electron Devices pp 122 128 ISSN 0018 9383 doi 10 1109 T ED 1983 21085 fechaacceso requiere url ayuda Enlaces externos EditarEEPROM de Atmel Datos Q205908 Multimedia EEPROMObtenido de https es wikipedia org w index php title EEPROM amp oldid 135042335, wikipedia, wiki, leyendo, leer, libro, biblioteca,
