7 nanómetros

El nodo de 7 nanómetros (7 nm) es el nodo de tecnología que sucede al nodo de 10 nm. La denominación exacta de este nodo de tecnología tiene su origen en el modo en que Intel plantea la tecnología.^[1]​

Procesos de fabricación de semiconductores
10.000 nm – 1971 3.000 nm – 1975 1.500 nm – 1982 1.000 nm – 1985 800 nm – 1989 600 nm – 1994 350 nm – 1995 250 nm – 1997 180 nm – 1999 130 nm – 2002 90 nm – 2004 65 nm – 2006 45 nm – 2008 32 nm – 2010 22 nm – 2012 14 nm – 2014 10 nm – 2016 7 nm – 2018 5 nm – 2020
v t e
[editar datos en Wikidata]

Demostraciones tecnológicas

En 2002, IBM fabricó un transistor de 6 nm.^[2]​

En 2003, NEC fabricó un transistor de 5 nm.^[3]​

En 2012, IBM fabricó un transistor de nanotubos de carbono de menos de 10 nm que superó el rendimiento del silicio en cuanto a velocidad y potencia.^[4]​ "El mayor rendimiento a baja tensión del transistor CNT de menos de 10 nm demuestra la viabilidad de los nanotubos para las tecnologías de fabricación de transistores a gran escala", de acuerdo con el resumen del artículo de Nano Letters.^[5]​

Referencias

1. . DailyTech. 11 de septiembre de 2013. Archivado desde el original el 3 de enero de 2015. 
2. IBM se hace con el transistor de silicio más pequeño del mundo
3. NEC fabrica en pruebas el transistor más pequeño del mundo
4. «IBM: Tiny carbon nanotube transistor outshines silicon». Cnet.com (en inglés). 30 de enero de 2012. 
5. Franklin, Aaron D.; et al. (2012). «Sub-10 nm Carbon Nanotube Transistor». Nano Letters (en inglés) 12 (2): 758-762. doi:10.1021/nl203701g. 

•   Datos: Q4643915