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14 nanómetros

14 nanómetros (14nm) es la tecnología de fabricación de semiconductores, en la que los componentes están fabricados en una 14 milmillonésima parte de un metro.[1][2][3]

Procesos de
fabricación de
semiconductores

Visión general

Actualmente, su uso está planificado para ser destinado sobre todo, a la fabricación microprocesadores CMOS, siguiendo de acuerdo al ITRS (En Inglés International Technology Roadmap for Semiconductors).

 
Proyección del escalado CMOS de acuerdo al International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS).

Microprocesadores

Familia Intel

Familia AMD

Nvidia

  • Nvidia Geforce 10 series (GT 1030, GTX 1050, GTX 1050Ti)

Historia

  • En el año 2005, Toshiba demuestra una longitud de puerta de 15 a 10 nm, usando un proceso espaciador lateral.[5]

Predecesor

22 nanómetros (22nm) era la anterior tecnología de fabricación de semiconductores.

Sucesor

10 nanómetros (10nm) será la tecnología que sustituya a los 14nm como la tecnología de fabricación de semiconductores.

Enlaces externos

  • (en inglés)

Referencias

  1. Prefijos del Sistema Internacional
  2. «Intel 14 nm para extender la Ley de Moore otra década». http://www.muycanal.com. 
  3. «Los 14 nanómetros empiezan a verse en el horizonte». http://www.xataka.com/. 
  4. «Intel Atom Z2580, primer chip de 14 nanómetros». http://www.muycomputer.com. 
  5. A, Kaneko; A, Yagashita; K, Yahashi; T, Kubota; M, Omura; K, Matsuo; I, Mizushima; K, Okano; H, Kawasaki; S, Inaba; T, Izumida; T, Kanemura; N, Aoki; K, Ishimaru; H, Ishiuchi; K, Suguro; K, Eguchi; Y, Tsunashima (2005), Sidewall transfer process and selective gate sidewall spacer formation technology for sub-15nm finfet with elevated source/drain extension (PDF) (en inglés), pp. 844-847, ISBN 0-7803-9268-X, doi:10.1109/IEDM.2005.1609488 .
  •   Datos: Q2750603

nanómetros, 14nm, tecnología, fabricación, semiconductores, componentes, están, fabricados, milmillonésima, parte, metro, procesos, fabricación, semiconductores10, 1971, 1975, 1982, 1985, 1989, 1994, 1995, 1997, 1999, 2002, 2004, 2006, 2008, 2010, 2012, 2014, . 14 nanometros 14nm es la tecnologia de fabricacion de semiconductores en la que los componentes estan fabricados en una 14 milmillonesima parte de un metro 1 2 3 Procesos de fabricacion de semiconductores10 000 nm 1971 3 000 nm 1975 1 500 nm 1982 1 000 nm 1985 800 nm 1989 600 nm 1994 350 nm 1995 250 nm 1997 180 nm 1999 130 nm 2002 90 nm 2004 65 nm 2006 45 nm 2008 32 nm 2010 22 nm 2012 14 nm 2014 10 nm 2016 7 nm 2018 5 nm 2020vte editar datos en Wikidata Indice 1 Vision general 1 1 Microprocesadores 1 1 1 Familia Intel 1 1 2 Familia AMD 1 1 3 Nvidia 2 Historia 2 1 Predecesor 2 2 Sucesor 3 Enlaces externos 4 ReferenciasVision general EditarActualmente su uso esta planificado para ser destinado sobre todo a la fabricacion microprocesadores CMOS siguiendo de acuerdo al ITRS En Ingles International Technology Roadmap for Semiconductors Proyeccion del escalado CMOS de acuerdo al International Technology Roadmap for Semiconductors ITRS Microprocesadores Editar Familia Intel Editar Broadwell Intel Atom Z2580 4 Skylake microarquitectura Familia AMD Editar Zen microarquitectura AMD Radeon 400 series AMD Radeon 500 seriesNvidia Editar Nvidia Geforce 10 series GT 1030 GTX 1050 GTX 1050Ti Historia EditarEn el ano 2005 Toshiba demuestra una longitud de puerta de 15 a 10 nm usando un proceso espaciador lateral 5 Predecesor Editar Articulo principal 22 nanometros 22 nanometros 22nm era la anterior tecnologia de fabricacion de semiconductores Sucesor Editar Articulo principal 10 nanometros 10 nanometros 10nm sera la tecnologia que sustituya a los 14nm como la tecnologia de fabricacion de semiconductores Enlaces externos Editarwww itrs net Sitio oficial en ingles Referencias Editar Prefijos del Sistema Internacional Intel 14 nm para extender la Ley de Moore otra decada http www muycanal com Los 14 nanometros empiezan a verse en el horizonte http www xataka com Intel Atom Z2580 primer chip de 14 nanometros http www muycomputer com A Kaneko A Yagashita K Yahashi T Kubota M Omura K Matsuo I Mizushima K Okano H Kawasaki S Inaba T Izumida T Kanemura N Aoki K Ishimaru H Ishiuchi K Suguro K Eguchi Y Tsunashima 2005 Sidewall transfer process and selective gate sidewall spacer formation technology for sub 15nm finfet with elevated source drain extension PDF formato requiere url ayuda en ingles pp 844 847 ISBN 0 7803 9268 X doi 10 1109 IEDM 2005 1609488 Datos Q2750603 Obtenido de https es wikipedia org w index php title 14 nanometros amp oldid 119974658, wikipedia, wiki, leyendo, leer, libro, biblioteca,

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